IGB50N65S5ATMA1

Подробности продукции

Как эффективный и опытный дистрибьютор гибридной электроники, наша компания, RX Electronics., Предлагает широкий спектр качественных электронных компонентов, полученных непосредственно из всемирно известных производителей. IGB50N65S5ATMA1-это высокопроизводительные биполярные транзисторы (IGBT), производимые инфинеоном технологией , ведущий глобальный производитель полупроводников. Это устройство предназначено для высокоэффективного преобразования мощности в таких приложениях, как солнечные инверторы, бесперебойные источники питания (UPS) и станции зарядки электромобилей. С максимальным напряжением коллекционера-эмиттера 650 В и током коллекционера до 50А, IGB50N65S5ATMA1 предлагает превосходные характеристики переключения и низкие потери проводимости, что делает его идеальным для требования систем промышленной и возобновляемой энергии. Его передовая технология остановки траншеи обеспечивает превосходную тепловую стабильность и надежность, что способствует продолжительному оперативному сроку службы. Компактный дизайн и надежность IGB50N65S5ATMA1 делают его предпочтительным выбором для инженеров, стремящихся оптимизировать пространство и повысить эффективность системы в своих проектах. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для дальнейших обсуждений.