IGP06N60TXKSA1

Подробности продукции

Как эффективный и опытный дистрибьютор гибридной электроники, наша компания, RX Electronics., Предлагает широкий спектр качественных электронных компонентов, полученных непосредственно от всемирно известных производителей. Это устройство оснащено оптимизированной структурой траншеи, обеспечивающей низкую устойчивость (RDS (ON)) и высокая эффективность применения в преобразовании питания. Его передовая кремниевая технология обеспечивает минимальные потери переключения, что делает ее идеальным для требования промышленной и автомобильной среды.

Ключевые характеристики включают максимальное напряжение источника источника (VDS) 600 В, непрерывный ток дренажа (ID) до 9,7A при 25 ° C и значения RDS (ON) с ультра-низкими до 0,14 Ом. MOSFET также может похвастаться превосходными тепловыми характеристиками с тепловым сопротивлением соединения-крем (RTH (JC)) 0,83 К/Вт, повышая надежность при тяжелых нагрузках.

Преимущества охватывают превосходную грубость против лавины и стрессов коммутации, обеспечивая надежную работу. Его компактный пакет TO-252 (DPAK) экономит пространство, сохраняя при этом высокую производительность. Приложения охватывают управление двигателем, преобразователи DC-DC, солнечные микроинвертеры и системы зарядки электромобилей, где эффективное управление питанием имеет решающее значение. Пожалуйста, любезно нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.