IPB009N03LGATMA1

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN IPB009N03LGATMA1, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. Он имеет ультра-низкую на резистентность (RDS (ON)) 0,9 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и высокую эффективность применения в преобразовании питания. Устройство поддерживает максимальное напряжение источника дренажного источника (VDS) 30 В и может обрабатывать непрерывные дренажные токи до 267а, что делает его подходящим для требования промышленной и автомобильной среды.

Этот MOSFET предлагает отличные тепловые характеристики с тепловым сопротивлением с низким содержанием соединения, усиливая рассеяние тепла. Его надежный дизайн включает в себя усиленную лавину и прочность на коммутацию, обеспечивая надежную работу в суровых условиях. Пакет TO-247 обеспечивает легкую интеграцию в существующие системы, сохраняя при этом превосходные электрические характеристики.

Приложения включают в себя управление двигателем, преобразователи DC-DC, системы управления аккумуляторами и электромобили, где эффективное переключение питания и надежность имеют решающее значение. IPB009N03LGATMA1 обеспечивает выдающиеся показатели с точки зрения эффективности, долговечности и теплового управления, что делает его идеальным выбором для мощных проектов плотности. Пожалуйста, нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.