IPB60R080P7ATMA1

Подробности продукции

Если вам требуется поставка IPB60R080P7ATMA1, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. IPB60R080P7ATMA1-это высокопроизводительный MOSFET от Infineon Technologies, предназначенный для эффективного преобразования энергии. Это устройство имеет ультра-низкие RDS (ON) 80 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышение эффективности системы. Он работает в пределах диапазона напряжения до 600 В, что делает его надежным против пиков напряжения в требовательных приложениях.

Одним из его ключевых преимуществ является технология Coolmos ™, которая обеспечивает превосходную производительность переключения с уменьшенным зарядом и выходной зарядкой затвора. Это приводит к более низким потери переключения и улучшению теплового управления. Чип также интегрирует диод тела с быстрым обратным восстановлением, уменьшая электромагнитные помехи (EMI).

Этот MOSFET особенно подходит для промышленных и автомобильных применений, таких как моторные приводы, преобразователи DC-DC и солнечные инверторы. Его компактный пакет DPAK (TO-252) позволяет обеспечивать пространственные конструкции, сохраняя при этом высокую надежность и производительность, идеально подходит для современной электроники, требующей высокой эффективности и долговечности. Назначьте нашу команду по продажам по адресу info@rxelectronics.com для получения дополнительной информации и деталей. Мы находимся в вашем сервисе в любое время!