| Номер детали производителя : | IPB65R099C6ATMA1 |
|---|---|
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Состояние на складе : | 5304 pcs Stock |
| Описание : | MOSFET N-CH 650V 38A TO263 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | IPB65R099C6ATMA1.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | IPB65R099C6ATMA1 |
|---|---|
| производитель | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 38A TO263 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 5304 pcs |
| Спецификация | IPB65R099C6ATMA1.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | D²PAK (TO-263AB) |
| Серии | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 12.8A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 278W (Tc) |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Другие названия | IPB65R099C6ATMA1TR SP000895224 |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2780pF @ 100V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 127nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 650V |
| Подробное описание | N-Channel 650V 38A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 38A (Tc) |








AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
HIGH POWER_NEW
MOSFET N-CH TO263-3
MOSFET N-CH TO263-3
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
MOSFET N-CH TO263-3
MOSFET N-CH TO263-3
HIGH POWER_NEW
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263
MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3