IPD031N06L3GATMA1

Подробности продукции

Если вам требуется поставка IPD031N06L3Gatma1, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. Это устройство оснащено сверхнизким RDS (ON) 3,1 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышенную эффективность системы. Расположенный в компактном и бездомном (платном) упаковке, он предлагает превосходные тепловые характеристики и уменьшенную паразитию, что делает его идеальным для конструкций с ограниченным пространством. IPD031N06L3GATMA1 поддерживает широкий спектр промышленных и автомобильных приложений, включая управление двигателем, преобразование DC-DC и системы управления аккумуляторами. С рейтингом напряжения в дренажере (VDS) 60 В и способным обрабатывать непрерывные потоки дренаж до 142A, этот MOSFET обеспечивает надежные результаты даже в требовательных условиях. Его расширенная кремниевая технология обеспечивает надежную работу в широком диапазоне температур (от -55 ° C до +175 ° C), что поддерживает строгие требования к надежности в современной электронике. Посетите нашу команду по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.