IPD075N03LGATMA1

Подробности продукции

Если вам требуется поставка IPD075N03LGATMA1, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. Он оснащен расширенной технологией траншей, которая обеспечивает низкое сопротивление в государственном состоянии (RDS (ON)), как правило, 7,5 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает эффективное преобразование мощности и снижение потерь проводимости. Это устройство поддерживает высокие непрерывные дренажные токи до 82А и имеет напряжение разбивки источника слива (BVDSS) 30 В, что делает его надежным для требовательных применений.

Ключевые преимущества включают в себя быстрые возможности переключения с низким зарядом (QG), что сводит к минимуму потери переключения и повышает эффективность системы. Компактный пакет SO-8 облегчает интеграцию в конструкции с ограниченными пространством. Его термически улучшенная конструкция обеспечивает надежную работу в условиях высокого стресса.

Этот MOSFET идеально подходит для автомобильных и промышленных приложений, таких как управление двигателями, преобразователи DC-DC, системы управления батареями и нагрузочные переключатели. Его проницательность и эффективность делают его подходящим для средств, требующих высокой надежности и производительности. Пожалуйста, любезно нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.