| Номер детали производителя : | IPD122N10N3GBTMA1 |
|---|---|
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Состояние на складе : | 17377 pcs Stock |
| Описание : | MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | IPD122N10N3GBTMA1.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | IPD122N10N3GBTMA1 |
|---|---|
| производитель | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 17377 pcs |
| Спецификация | IPD122N10N3GBTMA1.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.2 mOhm @ 46A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 94W (Tc) |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Другие названия | IPD122N10N3 G IPD122N10N3 G-ND IPD122N10N3 GTR-ND IPD122N10N3G IPD122N10N3GBTMA1TR SP000485966 |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2500pF @ 50V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100V |
| Подробное описание | N-Channel 100V 59A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 59A (Tc) |







MOSFET N-CH 100V 59A

N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

CONNECTOR

TRENCH >=100V

CONNECTOR
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

CONNECTOR

CONNECTOR