IPDD60R102G7XTMA1

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного гибридного дистрибьютора электроники, наша компания-RX Electronics-предоставляет огромный выбор высококачественных электронных компонентов. Это устройство оснащено расширенной структурой траншеи, которая обеспечивает низкую на устойчивость (RDS (ON)) 102 МОм при VGS = 10 В, что минимизирует потери проводимости. Его рейтинг напряжения 650 В делает его подходящим для требования автомобильной и промышленной среды, где надежность и долговечность имеют первостепенное значение.

Ключевые характеристики включают в себя превосходную тепловую производительность, быстрые скорости переключения и превосходные возможности лавины, обеспечивая надежную работу в суровых условиях. IPDD60R102G7XTMA1 находится в пакете без лидеров (Toll), который предлагает улучшенное тепловое рассеяние и снижение паразитической индуктивности, что делает его идеальным для компактных конструкций.

Этот MOSFET находит широкое использование в автомобильной электронике, такой как системы зарядки электромобилей (EV), преобразователей DC-DC и применения управления двигателем. Кроме того, он хорошо подходит для промышленных источников питания и систем возобновляемых источников энергии, где эффективность и надежность имеют решающее значение. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.