IPG16N10S461ATMA1

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN IPG16N10S461ATMA1, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все части в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. Этот N-канальный мощный MOSFET 100 В имеет ультра-низкую устойчивость (RDS (ON)) 3,8 МОм, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышение эффективности системы. Его заряд затвора (QG) оптимизирован для быстрого переключения, что делает его идеальным для высокочастотных операций в управлении двигателем, преобразователями DC-DC и автомобильных системах.

Это устройство работает в пределах температурного диапазона соединения от -55 ° C до +175 ° C, предлагая надежную производительность в экстремальных условиях. IPG16N10S461ATMA1 расположен в компактном пакете DSO-3X3-8 (SMD), что позволяет обеспечить космическую конструкцию при сохранении превосходного теплового рассеяния. С его лавиной и прочной возможностью короткого замыкания этот MOSFET обеспечивает надежную работу даже во время переходных событий или условий неисправности.

IPG16N10S461ATMA's IPG16N10S461ATMA1 сочетает в себе технологии с строгими стандартами качества, предоставляя инженерам надежное решение для электроники Power Electronics следующего поколения. Пожалуйста, нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.