IPN95R1K2P7ATMA1

Подробности продукции

Если вам требуется поставка IPN95R1K2P7ATMA1, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. IPN95R1K2P7ATMA1 из Infineon Technologies-это высокопроизводительный IGBT (биполярный транзистор Gate Gate), предназначенный для эффективного преобразования энергии в различных промышленных и автомобильных применениях. Это устройство оснащено сверхнизким напряжением насыщения 0,95 В при 25 ° C, что обеспечивает превосходную эффективность и снижение потерь проводимости. С напряжением разбивки с разбивками коллекционера (VCE) 1200 В, он обеспечивает надежную производительность в условиях высокого напряжения.

Ключевые характеристики включают быстрые скорости переключения, отличную тепловую стабильность и ток 1,2 кА, что делает его идеальным для требовательных сред. Его расширенная технология полета траншеи повышает надежность и снижает электромагнитные помехи (EMI).

Этот IGBT обычно используется в моторных приводах, системах возобновляемых источников энергии, таких как солнечные инверторы и системы тяги электромобиля. Его способность обрабатывать высокую плотность мощности делает его подходящим для применений, требующих компактных конструкций и высокой эффективности. В целом, IPN95R1K2P7ATMA1 предлагает надежное решение для Power Electronics следующего поколения. Продолжите свяжитесь с нашей командой по продажам или отправьте электронное письмо по адресу info@rxelectronics.com, надеюсь, мы сможем сотрудничать в будущем.