IRF7779L2TRPBF

Подробности продукции

Если вам нужен надежный источник для IRF7779L2TRPBF, то вы попали в нужное место! Наша компания, RX Electronics, является всемирным дистрибьютором этого компонента. Кроме того, мы также предоставляем электронные компоненты из различных известных брендов. Этот MOSFET режима N-канала в режиме улучшения имеет низкий уровень устойчивости (RDS (ON)) 10 миллиомов при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери мощности во время работы. Он работает в пределах диапазона напряжения до 60 В, что делает его подходящим для различной промышленной и потребительской электроники.

Ключевые характеристики включают быстрые скорости переключения, отличную тепловую стабильность и надежные электрические характеристики. Его пакет TO-252 предлагает преимущества для экономии пространства при сохранении надежного рассеяния тепла. Устройство поддерживает высокие текущие возможности, повышая ее универсальность в требовательных энергетических системах.

Приложения для управления двигателем IRF7779L2TRPBF SPAN, источника питания, систем управления аккумуляторами и автомобильной электроники. Его эффективность и долговечность делают его идеальным выбором для дизайнеров, ищущих оптимальную производительность в компактных конструкциях. В связи с приверженностью Infineon качеству этот MOSFET обеспечивает долгосрочную надежность в различных средах. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам или отправьте электронное письмо по адресу info@rxelectronics.com, надеюсь, мы сможем сотрудничать в будущем.