IRG4BC20KPBF

Подробности продукции

Если вам требуется надежный источник для IRG4BC20KPBF, то вы попали в нужное место! Наша компания, RX Electronics, является всемирным дистрибьютором этого компонента. Кроме того, мы также предоставляем электронные компоненты из различных известных брендов. IRG4BC20KPBF Infineon Technologies-это высокопроизводительный транзистор MOSFET, предназначенный для приложений передового управления энергетикой. Этот n-канальный MOSFET оснащен низким RDS (ON) 3,1 МОм, что обеспечивает эффективное рассеяние мощности и превосходную производительность переключения. Он может похвастаться максимальным напряжением дренажного источника (VDS) 600 В и непрерывным током дренажа (ID) до 20А, что делает его подходящим для обработки высокого напряжения и нагрузок тока.

IRG4BC20KPBF получает выгоду от передовых технологий Infineon, предлагая быстрые скорости переключения и улучшенную тепловую стабильность. Его компактный пакет, PowerFlat 5x6, способствует меньшей площади, обеспечивая экономные дизайны в переполненных макетах печатных плат. Этот MOSFET оптимизирован для использования в различных приложениях, включая схемы питания, управление двигателем, системы освещения и управление аккумуляторами в электромобилях или возобновляемых энергетических системах.

Его ключевые преимущества заключаются в его сочетании с низким уровнем сопротивления в штате, высокого уровня напряжения и устойчивости, которые приводят к повышению эффективности системы, надежности и снижению тепла. IRG4BC20KPBF является надежным выбором для инженеров, ищущих оптимальные решения в области энергетики в требовании промышленной и автомобильной среды. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.