IRG7PH30K10PBF

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN IRG7PH30K10PBF, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все части в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. Поверхностный MOSFET, предназначенный для требования применений управления питанием. Это устройство имеет ультра-низкую резистентность (RDS (ON)) 3,0 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышенную эффективность в системах преобразования мощности. С рейтингом напряжения в дренажном источении (VDS) 750 В, он поддерживает высоковольтные операции, сохраняя при этом надежность против переходных шипов. IRG7PH30K10PBF превосходит в автомобильных, промышленных и возобновляемых энергетических секторах, предлагая превосходные тепловые характеристики благодаря своей расширенной технологии упаковки. Его быстрая возможность переключения сводит к минимуму потери переключения, что делает его идеальным для высокочастотных приложений, таких как преобразователи DC-DC и моторные диски. Кроме того, устройство включает в себя встроенную защиту ESD, повышая надежность в суровых условиях. Приверженность Infineon качеству гарантирует, что этот MOSFET соответствует строгим отраслевым стандартам, предоставляя дизайнерам надежное и эффективное решение для своих потребностей в электронике. Пожалуйста, свяжитесь с нашим командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.