IRG7T100HF12B

Подробности продукции

Если вам требуется поставка IRG7T100HF12B, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. IRG7T100HF12B от Infineon Technologies-это высокопроизводительный IGBT (биполярный транзистор Gate с изолированным затвором), предназначенный для эффективного преобразования энергии в промышленных и автомобильных приложениях. Это устройство имеет рейтинг напряжения 1200 В и текущий рейтинг 100А, что делает его подходящим для требовательных сред, где надежность и производительность имеют решающее значение. IRG7T100HF12B включает в себя расширенную технологию полевого стопа траншеи, чтобы минимизировать потери переключения и улучшить тепловые характеристики. Он предлагает низкие характеристики VCE (SAT) и EOFF, повышая эффективность в высокочастотных операциях переключения. Надежный дизайн обеспечивает превосходную прочность на короткие сроки, продлевая срок службы устройства. IGBT, идеально подходящий для моторных дисков, систем возобновляемых источников энергии и электромобилей, поддерживает компактные и надежные решения в области питания. Его пакет TO-247 облегчает легкую интеграцию в существующие конструкции, сохраняя при этом превосходные свойства рассеяния тепла. Приверженность Infineon к качеству и инновациям очевидна в исключительной производительности и долговечности IRG7T100HF12B и долговечности. Проблема свяжитесь с нашим командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.