Номер детали производителя : | SIDC11D60SIC3 | Статус RoHS : | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | International Rectifier (Infineon Technologies) | Состояние на складе : | 5216 pcs Stock |
Описание : | DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SIDC11D60SIC3.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SIDC11D60SIC3 |
---|---|
производитель | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Описание | DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
Кол-во в наличии | 5216 pcs |
Спецификация | SIDC11D60SIC3.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.9V @ 4A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600V |
Поставщик Упаковка устройства | Sawn on foil |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0ns |
упаковка | Bulk |
Упаковка / | Die |
Другие названия | SP000013868 |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Диод Тип | Silicon Carbide Schottky |
Подробное описание | Diode Silicon Carbide Schottky 600V 4A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 200µA @ 600V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 4A (DC) |
Емкостной @ В.Р., F | 150pF @ 1V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER
DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER
DIODE GP 1.2KV 25A WAFER
DIODE GEN PURP 600V 30A DIE
DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER
DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER
DIODE GEN PURP 1.7KV 200A WAFER
DIODE GEN PURP 1.2KV 200A WAFER
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER