Номер детали производителя : | SIDC24D30SIC3 | Статус RoHS : | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | International Rectifier (Infineon Technologies) | Состояние на складе : | 4213 pcs Stock |
Описание : | DIODE SILICON 300V 10A WAFER | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SIDC24D30SIC3.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SIDC24D30SIC3 |
---|---|
производитель | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Описание | DIODE SILICON 300V 10A WAFER |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
Кол-во в наличии | 4213 pcs |
Спецификация | SIDC24D30SIC3.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7V @ 10A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 300V |
Поставщик Упаковка устройства | Sawn on foil |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0ns |
упаковка | Bulk |
Упаковка / | Die |
Другие названия | SP000013873 |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Диод Тип | Silicon Carbide Schottky |
Подробное описание | Diode Silicon Carbide Schottky 300V 10A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 200µA @ 300V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 10A (DC) |
Емкостной @ В.Р., F | 600pF @ 1V, 1MHz |
DIODE GP 1.2KV 35A WAFER
DIODE GEN PURP 600V 50A DIE
DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
DIODE GEN PURP 600V 50A DIE
DIODE GEN PURP 600V 100A WAFER
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
DIODE GEN PURP 600V 100A DIE
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER