Номер детали производителя : | SIDC30D120H6X1SA4 | Статус RoHS : | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | International Rectifier (Infineon Technologies) | Состояние на складе : | 4353 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SIDC30D120H6X1SA4.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SIDC30D120H6X1SA4 |
---|---|
производитель | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Описание | DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
Кол-во в наличии | 4353 pcs |
Спецификация | SIDC30D120H6X1SA4.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.6V @ 50A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200V |
Поставщик Упаковка устройства | Sawn on foil |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
упаковка | Bulk |
Упаковка / | Die |
Другие названия | SIDC30D120H6 SIDC30D120H6-ND SP000013211 |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Диод Тип | Standard |
Подробное описание | Diode Standard 1200V 50A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 27µA @ 1200V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 50A (DC) |
Емкостной @ В.Р., F | - |
DIODE SILICON 300V 10A WAFER
DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER
DIODE GP 1.2KV 50A WAFER
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
DIODE GEN PURP 1.7KV 50A WAFER
DIODE GEN PURP 600V 150A DIE
DIODE GEN PURP 600V 100A DIE
DIODE GEN PURP 600V 75A WAFER
DIODE GEN PURP 600V 100A WAFER
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER