| Номер детали производителя : | SPB10N10L G |
|---|---|
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Состояние на складе : | 5188 pcs Stock |
| Описание : | MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | SPB10N10L G.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | SPB10N10L G |
|---|---|
| производитель | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 5188 pcs |
| Спецификация | SPB10N10L G.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 21µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3-2 |
| Серии | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 154 mOhm @ 8.1A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 50W (Tc) |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Другие названия | SP000102169 SPB10N10L G-ND SPB10N10LGINTR SPB10N10LGXT |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 444pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100V |
| Подробное описание | N-Channel 100V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10.3A (Tc) |








N-CHANNEL POWER MOSFET

N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
WIFI BRD W/RF ANTENNA 802.11B/G
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
WIFI BRD 802.11B/G 10PIN HEADER
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK

SPB 10C 10#20 PIN/SKT RECP