| Номер детали производителя : | SPB18P06PGATMA1 |
|---|---|
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Состояние на складе : | 937 pcs Stock |
| Описание : | MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | SPB18P06PGATMA1.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | SPB18P06PGATMA1 |
|---|---|
| производитель | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Описание | MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 937 pcs |
| Спецификация | SPB18P06PGATMA1.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | D²PAK (TO-263AB) |
| Серии | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 81.1W (Ta) |
| упаковка | Cut Tape (CT) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Другие названия | SPB18P06PGATMA1CT SPB18P06PGINCT SPB18P06PGINCT-ND |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 860pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60V |
| Подробное описание | P-Channel 60V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 18.7A (Ta) |







PORTABLE AND STYLISH HIGH EFFIC
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK

SEN MAG PROX RECT BISTABLE

WIFI EVK BOARD 802.11 B/G/N
PORTABLE AND STYLISH HIGH EFFIC
MOSFET N-CH 560V 16A TO-263

PANEL SWING KIT

N-CHANNEL POWER MOSFET

SPB18P06 - 20V-250V P-CHANNEL PO
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK