SPD02N80C3BTMA1

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN SPD02N80C3BTMA1, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все части в новом и исходном состоянии в RX Electronics. Этот IC-чип имеет рейтинг напряжения 800 В, что делает его идеальным для высоковольтных сред, обеспечивая при этом надежность и надежность. При сопротивлении в штате (RDS (ON)) обычно 2,6 Ом при VGS = 10 В его минимизирует потери проводимости и повышает эффективность системы. SPD02N80C3BTMA1 работает в диапазоне температуры соединения от -55 ° C до +175 ° C, демонстрируя превосходные тепловые характеристики.

Это устройство хорошо подходит для промышленных и автомобильных приложений, таких как управление двигателями, преобразователи DC-DC и питания переключателя (SMPS). Его быстрое переключение и низкий заряд способствуют снижению потерь переключения, повышая общую энергоэффективность. Кроме того, SPD02N80C3BTMA1 поддерживает компактные конструкции с его пакетом TO-263, предлагая простоту интеграции в системы с ограниченными пространством. В целом, этот MOSFET обеспечивает баланс производительности, долговечности и универсальности для требовательных приложений Power Electronics.Request QUOTE SPD02N80C3BTMA1 и оставьте свое сообщение по адресу info@rxelectronics.com.