Номер детали производителя : | DTC115EETL |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
Состояние на складе : | 1103 pcs Stock |
Описание : | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | DTC115EETL(1).pdfDTC115EETL(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | DTC115EETL |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 1103 pcs |
Спецификация | DTC115EETL(1).pdfDTC115EETL(2).pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Тип транзистор | NPN - Pre-Biased |
Поставщик Упаковка устройства | EMT3 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 100 kOhms |
Резистор - основание (R1) | 100 kOhms |
Мощность - Макс | 150mW |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | SC-75, SOT-416 |
Другие названия | DTC115EETL-ND DTC115EETLTR |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 10 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Частота - Переход | 250MHz |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3 |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 20mA |
Номер базового номера | DTC115 |
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
DTC115E - DIGITAL BJT NPN - PRE-
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
NPN, SOT-416, R1=R2 POTENTIAL DI
DTC115EU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
NPN, SOT-416, R1=R2 POTENTIAL DI
TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723
NPN, 3-PINNPN DIGITAL TRANSISTOR