Номер детали производителя : | DTC115EM3T5G |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | 25250 pcs Stock |
Описание : | TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | DTC115EM3T5G.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | DTC115EM3T5G |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 25250 pcs |
Спецификация | DTC115EM3T5G.pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Тип транзистор | NPN - Pre-Biased |
Поставщик Упаковка устройства | SOT-723 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 100 kOhms |
Резистор - основание (R1) | 100 kOhms |
Мощность - Макс | 260mW |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | SOT-723 |
Другие названия | DTC115EM3T5G-ND DTC115EM3T5GOSTR |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 5 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723 |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Номер базового номера | DTC115 |
NPN, SOT-323FL, R1=R2 POTENTIAL
DTC115EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
DTC115E - DIGITAL BJT NPN - PRE-
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
DTC115EU3HZG IS AN DIGITAL TRANS