| Номер детали производителя : | EMF5T2R |
|---|---|
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
| Состояние на складе : | 17250 pcs Stock |
| Описание : | TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | EMF5T2R(1).pdfEMF5T2R(2).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | EMF5T2R |
|---|---|
| производитель | LAPIS Semiconductor |
| Описание | TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 17250 pcs |
| Спецификация | EMF5T2R(1).pdfEMF5T2R(2).pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V, 12V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Тип транзистор | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Поставщик Упаковка устройства | EMT6 |
| Серии | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2) | 47 kOhms |
| Резистор - основание (R1) | 47 kOhms |
| Мощность - Макс | 150mW |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | SOT-563, SOT-666 |
| Другие названия | EMF5T2R-ND EMF5T2RTR |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 10 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход | 250MHz, 260MHz |
| Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA, 500mA |
| Номер базового номера | *MF5 |








LPDDR3 SPECIAL/CUSTOM PLASTIC GR

MULTI-FIELD EMF METER
POWER MANAGEMENT (DUAL TRANSISTO
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
CAP CER 4.7UF 16V X7R 1210
EMF/ELF METER
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT563
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT56
TRANS PNP BIP+MOS EMT6
TRANS DUAL DTA143T/2SK2019 EMT6