Номер детали производителя : | EMG4T2R | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor | Состояние на складе : | 146782 pcs Stock |
Описание : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | EMG4T2R(1).pdfEMG4T2R(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | EMG4T2R |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 146782 pcs |
Спецификация | EMG4T2R(1).pdfEMG4T2R(2).pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Тип транзистор | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | EMT5 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | - |
Резистор - основание (R1) | 10 kOhms |
Мощность - Макс | 150mW |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Другие названия | EMG4T2RTR |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 10 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Частота - Переход | 250MHz |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5 |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | - |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Номер базового номера | *MG4 |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
EMG7500 EDGE MANAGEMENT GATEWAY,
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
SS SOT553 BR XSTR NPN
TRANS DUAL BIAS NPN 50V SOT-563
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5