| Номер детали производителя : | EMH1T2R | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor | Состояние на складе : | 213017 pcs Stock |
| Описание : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | EMH1T2R(1).pdfEMH1T2R(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | EMH1T2R |
|---|---|
| производитель | LAPIS Semiconductor |
| Описание | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 213017 pcs |
| Спецификация | EMH1T2R(1).pdfEMH1T2R(2).pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Тип транзистор | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства | EMT6 |
| Серии | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2) | 22 kOhms |
| Резистор - основание (R1) | 22 kOhms |
| Мощность - Макс | 150mW |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | SOT-563, SOT-666 |
| Другие названия | EMH1T2R-ND EMH1T2RTR |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 10 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход | 250MHz |
| Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
| Номер базового номера | *MH1 |







MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
ALUMINUM E-CAP SMT
MOSFET 2P-CH 20V 3A EMH8
PCH+PCH 1.8V DRIVE SERIES
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W 6EMT
MOSFET 2P-CH 20V 3A ECH8
MOSFET 2P-CH 12V 5A EMH8
MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8
NCH+NCH 1.8 DRIVE SERIES