| Номер детали производителя : | IMT3AT108 | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS | 
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor | Состояние на складе : | 351 pcs Stock | 
| Описание : | TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT | Доставить из : | Гонконг | 
| Спецификация : | IMT3AT108.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS | 
| Часть № | IMT3AT108 | 
|---|---|
| производитель | LAPIS Semiconductor | 
| Описание | TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT | 
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS | 
| Кол-во в наличии | 351 pcs | 
| Спецификация | IMT3AT108.pdf | 
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V | 
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA | 
| Тип транзистор | 2 PNP (Dual) | 
| Поставщик Упаковка устройства | SMT6 | 
| Серии | - | 
| Мощность - Макс | 300mW | 
| упаковка | Tape & Reel (TR) | 
| Упаковка / | SC-74, SOT-457 | 
| Другие названия | IMT3AT108-ND  IMT3AT108TR  | 
			
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | 
| Тип установки | Surface Mount | 
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) | 
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 
| Частота - Переход | 140MHz | 
| Подробное описание | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 140MHz 300mW Surface Mount SMT6 | 
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V | 
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) | 
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 150mA | 
| Номер базового номера | MT3 | 








MEMBRANA GLAND ECIBM16

MEMBRANA GLAND ECIBM25
TRANS 2PNP 120V 0.05A 6SMT

SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8

MEMBRANA GLAND ECIBM20

MEMBRANA GLAND ECIBM32
TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26

SILICON CARBIDE MOSFET

MEMBRANA GLAND ECIBM40

SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8