| Номер детали производителя : | RB021VAM90TR |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
| Состояние на складе : | 11107 pcs Stock |
| Описание : | DIODE SCHOTTKY 90V 200MA TUMD2M |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | RB021VAM90TR(1).pdfRB021VAM90TR(2).pdfRB021VAM90TR(3).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | RB021VAM90TR |
|---|---|
| производитель | LAPIS Semiconductor |
| Описание | DIODE SCHOTTKY 90V 200MA TUMD2M |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | 11107 pcs |
| Спецификация | RB021VAM90TR(1).pdfRB021VAM90TR(2).pdfRB021VAM90TR(3).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 490 mV @ 200 mA |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 90 V |
| Технологии | Schottky |
| Поставщик Упаковка устройства | TUMD2M |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Упаковка / | 2-SMD, Flat Lead |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | 125°C (Max) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 900 µA @ 90 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 200mA |
| Емкостной @ В.Р., F | - |
| Базовый номер продукта | RB021 |







DIODE SCHOTTKY 30V PMDT

CAP CER 1200PF 3KV
DIODE SCHOTTKY CPD
100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
1000uH +/-10% Radial Leaded Ind.
150V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
DIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDS
100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
DIODE SCHOTTKY 90V 200MA TUMD2
150V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR