Номер детали производителя : | RFN1LAM6STFTR |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
Состояние на складе : | 5900 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RFN1LAM6STFTR |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 5900 pcs |
Спецификация | |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.45 V @ 800 mA |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | PMDTM |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Automotive, AEC-Q101 |
Обратное время восстановления (ТИР) | 35 ns |
Упаковка / | SOD-128 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | 150°C (Max) |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 1 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 800mA |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Базовый номер продукта | RFN1LAM6 |
DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM
DIODE GEN PURP 200V 1A PMDE
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
SUPER FAST RECOVERY DIODE : RFN1
DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM
DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS
DIODE GEN PURP 200V 1A PMDE
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM