Номер детали производителя : | RN262GT2R | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | RF DIODE PIN 30V 100MW VMD2 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RN262GT2R(1).pdfRN262GT2R(2).pdfRN262GT2R(3).pdfRN262GT2R(4).pdfRN262GT2R(5).pdfRN262GT2R(6).pdfRN262GT2R(7).pdfRN262GT2R(8).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RN262GT2R |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | RF DIODE PIN 30V 100MW VMD2 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | RN262GT2R(1).pdfRN262GT2R(2).pdfRN262GT2R(3).pdfRN262GT2R(4).pdfRN262GT2R(5).pdfRN262GT2R(6).pdfRN262GT2R(7).pdfRN262GT2R(8).pdf |
Напряжение - Пиковое обратное (Макс) | 30V |
Поставщик Упаковка устройства | VMD2 |
Серии | - |
Сопротивление @ Если, F | 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz |
Рассеиваемая мощность (макс) | 100 mW |
Упаковка / | SOD-723 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
Диод Тип | PIN - Single |
Ток - Макс | 100 mA |
Емкостной @ В.Р., F | 0.4pF @ 1V, 1MHz |
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
RF DIODE PIN 30V 100MW VMN2
TRANSISTOR PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RF DIODE PIN SMD
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6