Номер детали производителя : | RN2610(TE85L,F) |
---|---|
Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Состояние на складе : | 2910 pcs Stock |
Описание : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RN2610(TE85L,F) |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 2910 pcs |
Спецификация | |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Тип транзистор | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | SM6 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | - |
Резистор - основание (R1) | 4.7kOhms |
Мощность - Макс | 300mW |
Упаковка / | SC-74, SOT-457 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Тип установки | Surface Mount |
Частота - Переход | 200MHz |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Базовый номер продукта | RN2610 |
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
RF DIODE PIN 30V 100MW VMD2
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RF DIODE PIN 30V 100MW VMN2
RF DIODE PIN SMD