Номер детали производителя : | RN2701,LF |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Состояние на складе : | 3000 pcs Stock |
Описание : | PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RN2701,LF |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание | PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 3000 pcs |
Спецификация | |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Тип транзистор | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | USV |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 4.7kOhms |
Резистор - основание (R1) | 4.7kOhms |
Мощность - Макс | 200mW |
Упаковка / | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Тип установки | Surface Mount |
Частота - Переход | 200MHz |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Базовый номер продукта | RN2701 |
PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
RF DIODE PIN SMD
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RF DIODE PIN 30V 100MW VMN2
TRANSISTOR PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
RF DIODE PIN 30V 100MW VMD2