Номер детали производителя : | RR2LAM6STFTR |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
Состояние на складе : | 3000 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 2A PMDTM |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RR2LAM6STFTR(1).pdfRR2LAM6STFTR(2).pdfRR2LAM6STFTR(3).pdfRR2LAM6STFTR(4).pdfRR2LAM6STFTR(5).pdfRR2LAM6STFTR(6).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RR2LAM6STFTR |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 2A PMDTM |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 3000 pcs |
Спецификация | RR2LAM6STFTR(1).pdfRR2LAM6STFTR(2).pdfRR2LAM6STFTR(3).pdfRR2LAM6STFTR(4).pdfRR2LAM6STFTR(5).pdfRR2LAM6STFTR(6).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1 V @ 2 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | PMDTM |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Automotive, AEC-Q101 |
Упаковка / | SOD-128 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | 150°C (Max) |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 2A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Базовый номер продукта | RR2LAM6 |
RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 24V
RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 240V
DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS
RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 100V
RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 120V
DIODE GEN PURP 600V 2A PMDTM
DIODE GEN PURP 400V 2A PMDS
DIODE GEN PURP 400V 2A PMDTM
DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS
DIODE GEN PURP 400V 2A PMDTM