Номер детали производителя : | SCS306APC9 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SILICON CARBIDE 650V 6A |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SCS306APC9 |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | DIODE SILICON CARBIDE 650V 6A |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.5 V @ 6 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-220-2 |
Упаковка | Tube |
Рабочая температура - Соединение | 175°C (Max) |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 30 µA @ 650 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 6A |
Емкостной @ В.Р., F | 300pF @ 1V, 1MHz |
Базовый номер продукта | SCS306 |
SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING
DIODE SIL CARB 650V 4A TO220FM
SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING
DIODE SILICON CARBIDE 650V 8A
DIODE SILICON CARBIDE 650V 4A
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A LPTL
SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A LPTL
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220FM
DIODE SIL CARB 650V 6A TO220FM