Номер детали производителя : | SCS312AHGC9 | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor | Состояние на складе : | 6554 pcs Stock |
Описание : | SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SCS312AHGC9.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SCS312AHGC9 |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 6554 pcs |
Спецификация | SCS312AHGC9.pdf |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650V |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220ACP |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0ns |
Упаковка / | TO-220-2 |
Рабочая температура - Соединение | 175°C (Max) |
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 23 Weeks |
Свободный свинец | Lead free |
Диод Тип | Silicon Carbide Schottky |
Подробное описание | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 12A (DC) Through Hole TO-220ACP |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 60µA @ 650V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 12A (DC) |
Емкостной @ В.Р., F | 600pF @ 1V, 1MHz |
DIODE SIL CARBIDE 650V 12A LPTL
DIODE SIL CARBIDE 650V 15A LPTL
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM
DIODE SILICON CARBIDE 650V 10A
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPTL
SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING
DIODE SILICON CARBIDE 650V 8A
DIODE SIL CARB 650V 15A TO220FM
SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220FM