Номер детали производителя : | LMG1210RVRT |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Texas Instruments |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 19WQFN |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | LMG1210RVRT(1).pdfLMG1210RVRT(2).pdfLMG1210RVRT(3).pdfLMG1210RVRT(4).pdfLMG1210RVRT(5).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | LMG1210RVRT |
---|---|
производитель | |
Описание | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 19WQFN |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | LMG1210RVRT(1).pdfLMG1210RVRT(2).pdfLMG1210RVRT(3).pdfLMG1210RVRT(4).pdfLMG1210RVRT(5).pdf |
Напряжение тока - поставка | 4.75V ~ 5.25V, 6V ~ 18V |
Поставщик Упаковка устройства | 19-WQFN (3x4) |
Серии | - |
Время нарастания / спада (Typ) | 500ps, 500ps |
Упаковка / | 19-WFQFN Exposed Pad |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Количество водителей | 2 |
Тип установки | Surface Mount, Wettable Flank |
Логическое напряжение - VIL, VIH | - |
Тип ввода | Non-Inverting |
Со стороны высокого напряжения - Макс (Bootstrap) | 200 V |
Тип ворот | N-Channel MOSFET |
Управляемая конфигурация | Half-Bridge |
Текущий - пиковый выход (источник, приемник) | 1.5A, 3A |
ток заряда | Independent |
Базовый номер продукта | LMG1210 |
650-V 170/248-M GAN HALF-BRIDGE
EVALUATION BOARD FOR LMG3410
IC GATE DRVR GAN MOSFET
LMG1210EVM-012
EVAL MODULE
LMG1205YFXT
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA
LMG3410 EVM
650-V 170/248-M GAN HALF-BRIDGE
SMART 50MOHM GAN FET WITH DRIV