Номер детали производителя : | LMG3410R150RWHT |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Texas Instruments |
Состояние на складе : | 29 pcs Stock |
Описание : | SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVE |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | LMG3410R150RWHT(1).pdfLMG3410R150RWHT(2).pdfLMG3410R150RWHT(3).pdfLMG3410R150RWHT(4).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | LMG3410R150RWHT |
---|---|
производитель | |
Описание | SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 29 pcs |
Спецификация | LMG3410R150RWHT(1).pdfLMG3410R150RWHT(2).pdfLMG3410R150RWHT(3).pdfLMG3410R150RWHT(4).pdf |
Напряжение тока - поставка (Vcc / Vdd) | 9.5V ~ 18V |
Напряжение - Нагрузка | 480V (Max) |
Тип переключателя | Load Switch |
Поставщик Упаковка устройства | 32-VQFN (8x8) |
Серии | - |
Rds On (Тип) | 150mOhm |
Коэффициент - Входное напряжение: Выходной | 1:1 |
Упаковка / | 32-VQFN Exposed Pad |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Тип выхода | N-Channel |
Выходная конфигурация | High Side |
Рабочая Температура | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Количество выходов | 1 |
Тип установки | Surface Mount |
Интерфейс | Logic, PWM |
Тип ввода | Non-Inverting |
Особенности | Bootstrap Circuit, 5V Regulated Output |
Защита от сбоев | Over Current, Over Temperature, UVLO |
Ток - Выходной (Макс) | 6A |
Базовый номер продукта | LMG3410R150 |
DEVELOPMENT POWER MANAGEMENT
PWR MGMT MOSFET/PWR DRIVER
PWR MGMT MOSFET/PWR DRIVER
SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVE
SMART 50MOHM GAN FET WITH DRIV
LMG3411 EVM
SMART 50MOHM GAN FET WITH DRIV
SMART 50MOHM GAN FET WITH DRIV
LMG3411 EVM
SMART 50MOHM GAN FET WITH DRIV