Номер детали производителя : | LMG3425R030RQZR |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Texas Instruments |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | 600-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | LMG3425R030RQZR |
---|---|
производитель | |
Описание | 600-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | |
Напряжение тока - поставка | 7.5V ~ 18V |
Напряжение - Нагрузка | 7.5V ~ 18V |
Технологии | - |
Поставщик Упаковка устройства | 54-VQFN (12x12) |
Серии | - |
Rds On (Тип) | 35mOhm |
Упаковка / | 54-VQFN Exposed Pad |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Выходная конфигурация | Half Bridge |
Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Тип нагрузки | Inductive |
Интерфейс | Logic, PWM |
Особенности | - |
Защита от сбоев | Over Current, Over Temperature, UVLO |
Ток - Пик Выходной | 1.2A |
Ток - выход / канал | 1.2A |
Приложения | General Purpose |
600-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT
600-V 50-M GAN FET WITH INTEGRAT
EVALUATION BOARD FOR LMG34XX
LMG3522R030-Q1 AUTOMOTIVE 650-V
IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 54VQFN
IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 54VQFN
IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 54VQFN
PROTOTYPE
IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 54VQFN
IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 54VQFN