| Номер детали производителя : | APT100DL60BG | Статус RoHS : | |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | Micrel / Microchip Technology | Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GEN PURP 600V 100A TO247 | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | APT100DL60BG(1).pdfAPT100DL60BG(2).pdfAPT100DL60BG(3).pdfAPT100DL60BG(4).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | APT100DL60BG |
|---|---|
| производитель | Micrel / Microchip Technology |
| Описание | DIODE GEN PURP 600V 100A TO247 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | APT100DL60BG(1).pdfAPT100DL60BG(2).pdfAPT100DL60BG(3).pdfAPT100DL60BG(4).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.6 V @ 100 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-247 |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Упаковка / | TO-247-2 |
| Упаковка | Tube |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Тип установки | Through Hole |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 100A |
| Емкостной @ В.Р., F | - |
| Базовый номер продукта | APT100DL60 |








DIODE GEN PURP 600V 100A TO247
IGBT MOD 600V 120A 416W SOT227

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
BRIDGE RECT 1P 600V 100A SOT227

DIODE GEN PURP 600V 100A TO247
IGBT MOD 650V 165A 430W ISOTOP
IGBT MOD 600V 120A 416W SOT227
MOSFET N-CH 500V 103A ISOTOP

MOSFET N-CH 1000V 12A D3PAK
DIODE GEN PURP 600V 100A TO247