| Номер детали производителя : | APT8DQ60KG | Статус RoHS : | |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | Micrel / Microchip Technology | Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220 | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | APT8DQ60KG(1).pdfAPT8DQ60KG(2).pdfAPT8DQ60KG(3).pdfAPT8DQ60KG(4).pdfAPT8DQ60KG(5).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | APT8DQ60KG |
|---|---|
| производитель | Micrel / Microchip Technology |
| Описание | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | APT8DQ60KG(1).pdfAPT8DQ60KG(2).pdfAPT8DQ60KG(3).pdfAPT8DQ60KG(4).pdfAPT8DQ60KG(5).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 2.4 V @ 8 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-220 [K] |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 19 ns |
| Упаковка / | TO-220-3 |
| Упаковка | Tube |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Тип установки | Through Hole |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 25 µA @ 600 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 8A |
| Емкостной @ В.Р., F | - |
| Базовый номер продукта | APT8DQ60 |







MOSFET N-CH 800V 8A TO220

IGBT 1200V 170A 962W TO264
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227

MOSFET N-CH 600V 94A 264 MAX
DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247

IGBT 1200V 170A 962W TO247
IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
BRIDGE RECT 1PHASE 1.6KV SOT227