Номер детали производителя : | APT8DQ60KCTG | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Microsemi | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | APT8DQ60KCTG(1).pdfAPT8DQ60KCTG(2).pdfAPT8DQ60KCTG(3).pdfAPT8DQ60KCTG(4).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | APT8DQ60KCTG |
---|---|
производитель | Microsemi |
Описание | DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | APT8DQ60KCTG(1).pdfAPT8DQ60KCTG(2).pdfAPT8DQ60KCTG(3).pdfAPT8DQ60KCTG(4).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 2.4 V @ 8 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220 [K] |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 19 ns |
Упаковка / | TO-220-3 |
Упаковка | Tube |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Through Hole |
Диод Конфигурация | 1 Pair Common Cathode |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 25 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode) | 8A |
Базовый номер продукта | APT8DQ60 |
BRIDGE RECT 1PHASE 1.6KV SOT227
IGBT 1200V 170A 962W TO264
MOSFET N-CH 800V 8A TO220
MOSFET N-CH 500V 84A TO264
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220
IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
IGBT 1200V 170A 962W TO247
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247