| Номер детали производителя : | JAN1N5554US/TR |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Micrel / Microchip Technology |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GEN PURP 1KV 5A D-5B |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | JAN1N5554US/TR(1).pdfJAN1N5554US/TR(2).pdfJAN1N5554US/TR(3).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | JAN1N5554US/TR |
|---|---|
| производитель | Micrel / Microchip Technology |
| Описание | DIODE GEN PURP 1KV 5A D-5B |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | JAN1N5554US/TR(1).pdfJAN1N5554US/TR(2).pdfJAN1N5554US/TR(3).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.3 V @ 9 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1000 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | D-5B |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | Military, MIL-PRF-19500/420 |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 2 µs |
| Упаковка / | SQ-MELF, E |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 1 µA @ 1 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 5A |
| Емкостной @ В.Р., F | - |







TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13

DIODE GEN PURP 800V 3A D-5B
TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC DO13

UNI-DIRECTIONAL TVS
DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

UNI-DIRECTIONAL TVS

DIODE GEN PURP 1KV 5A D-5B
DIODE GEN PURP 1KV 3A

DIODE GEN PURP 800V 3A D-5B
TVS DIODE 49VWM 78.5VC DO13