Номер детали производителя : | JAN1N5811URS/TR |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Micrel / Microchip Technology |
Состояние на складе : | - |
Описание : | DIODE GP 150V 3A SQ-MELF B |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | JAN1N5811URS/TR(1).pdfJAN1N5811URS/TR(2).pdfJAN1N5811URS/TR(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | JAN1N5811URS/TR |
---|---|
производитель | Micrel / Microchip Technology |
Описание | DIODE GP 150V 3A SQ-MELF B |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | JAN1N5811URS/TR(1).pdfJAN1N5811URS/TR(2).pdfJAN1N5811URS/TR(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 875 mV @ 4 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 150 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | B, SQ-MELF |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Military, MIL-PRF-19500/477 |
Обратное время восстановления (ТИР) | 30 ns |
Упаковка / | SQ-MELF, B |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 150 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
Емкостной @ В.Р., F | 60pF @ 10V, 1MHz |
DIODE GP 100V 3A SQ-MELF B
DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF
DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
DIODE GEN PURP 150V 6A
DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
DIODE GEN PURP 150V 6A B SQ-MELF
DIODE GEN PURP 100V 6A B SQ-MELF
DIODE GEN PURP 150V 6A B SQ-MELF