| Номер детали производителя : | JANS1N5807US/TR |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Micrel / Microchip Technology |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | JANS1N5807US/TR(1).pdfJANS1N5807US/TR(2).pdfJANS1N5807US/TR(3).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | JANS1N5807US/TR |
|---|---|
| производитель | Micrel / Microchip Technology |
| Описание | DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | JANS1N5807US/TR(1).pdfJANS1N5807US/TR(2).pdfJANS1N5807US/TR(3).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 875 mV @ 4 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 50 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | B, SQ-MELF |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 30 ns |
| Упаковка / | SQ-MELF, B |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
| Емкостной @ В.Р., F | - |







DIODE GEN PURP 100V 3A

DIODE GEN PURP 100V 6A B SQ-MELF

DIODE GEN PURP 50V 6A B SQ-MELF
DIODE GEN PURP 50V 6A B AXIAL

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
DIODE GEN PURP 50V 6A B AXIAL

UFR,FRR
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF

UFR,FRR