| Номер детали производителя : | JANS1N5809 |
|---|---|
| Статус RoHS : | RoHS несовместим |
| Изготовитель / Производитель : | Micrel / Microchip Technology |
| Состояние на складе : | 300 pcs Stock |
| Описание : | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | JANS1N5809(1).pdfJANS1N5809(2).pdfJANS1N5809(3).pdfJANS1N5809(4).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | JANS1N5809 |
|---|---|
| производитель | Micrel / Microchip Technology |
| Описание | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | RoHS несовместим |
| Кол-во в наличии | 300 pcs |
| Спецификация | JANS1N5809(1).pdfJANS1N5809(2).pdfJANS1N5809(3).pdfJANS1N5809(4).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 875 mV @ 4 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | B, Axial |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 30 ns |
| Упаковка / | B, Axial |
| Упаковка | Bulk |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
| Тип установки | Through Hole |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
| Емкостной @ В.Р., F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Базовый номер продукта | 1N5809 |








DIODE GEN PURP 50V 6A B SQ-MELF

DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF

UFR,FRR

DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF
DIODE GEN PURP 50V 6A B AXIAL
DIODE GEN PURP 100V 3A

UFR,FRR

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

DIODE GEN PURP 100V 6A B SQ-MELF

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF