| Номер детали производителя : | JANTXV1N6630/TR |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Micrel / Microchip Technology |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-PAK |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | JANTXV1N6630/TR(1).pdfJANTXV1N6630/TR(2).pdfJANTXV1N6630/TR(3).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | JANTXV1N6630/TR |
|---|---|
| производитель | Micrel / Microchip Technology |
| Описание | DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-PAK |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | JANTXV1N6630/TR(1).pdfJANTXV1N6630/TR(2).pdfJANTXV1N6630/TR(3).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.4 V @ 1.4 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 900 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | E-PAK |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 50 ns |
| Упаковка / | E, Axial |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 150°C |
| Тип установки | Through Hole |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 2 µA @ 900 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1.4A |
| Емкостной @ В.Р., F | - |








DIODE GEN PURP 660V 1.75A D-5B

DIODE GEN PURP 800V 1.4A D-5B

DIODE GEN PURP 1KV 1.4A D-5B
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A E-PAK

DIODE GP 990V 1.4A SQ-MELF B
UFR,FRR

DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A E-PAK

DIODE GEN PURP 660V 1.75A D-5B

DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-PAK

DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL