| Номер детали производителя : | MNS1N5811US/TR |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Micrel / Microchip Technology |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GP 150V 3A SQ-MELF B |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | MNS1N5811US/TR(1).pdfMNS1N5811US/TR(2).pdfMNS1N5811US/TR(3).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | MNS1N5811US/TR |
|---|---|
| производитель | Micrel / Microchip Technology |
| Описание | DIODE GP 150V 3A SQ-MELF B |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | MNS1N5811US/TR(1).pdfMNS1N5811US/TR(2).pdfMNS1N5811US/TR(3).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 875 mV @ 4 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 150 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | B, SQ-MELF |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 30 ns |
| Упаковка / | SQ-MELF, B |
| Упаковка | Bulk |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 150 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
| Емкостной @ В.Р., F | 60pF @ 10V, 1MHz |








DIODE GP 150V 3A SQ-MELF B

DIODE SCHOTTKY 40V 3A SQ-MELF B

DIODE SCHOTTKY 40V 3A SQ-MELF B

DIODE GEN PURP 160V 1A A SQ-MELF
VOLTAGE REGULATOR

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB
VOLTAGE REGULATOR

BI-DIRECTIONAL TVS

DIODE GP REV 160V 1A A SQ-MELF