| Номер детали производителя : | MNS1N6627US/TR |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Micrel / Microchip Technology |
| Состояние на складе : | 500 pcs Stock |
| Описание : | DIODE GEN PURP 440V 1.75A E-MELF |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | MNS1N6627US/TR(1).pdfMNS1N6627US/TR(2).pdfMNS1N6627US/TR(3).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | MNS1N6627US/TR |
|---|---|
| производитель | Micrel / Microchip Technology |
| Описание | DIODE GEN PURP 440V 1.75A E-MELF |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | 500 pcs |
| Спецификация | MNS1N6627US/TR(1).pdfMNS1N6627US/TR(2).pdfMNS1N6627US/TR(3).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.35 V @ 2 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 440 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | E-MELF |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 30 ns |
| Упаковка / | SQ-MELF, B |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 150°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 2 µA @ 440 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1.75A |
| Емкостной @ В.Р., F | - |







ALTA IND 3 PHASE CURRENT 150A

MNS1N6318US/TR

MNS1N6318US
DIODE GP REV 50V 300MA D-5D

DIODE SCHOTTKY 100V 20A U3

DIODE GP 440V 1.75A SQ-MELF B

MNS1N6325US/TR

DIODE SCHOTTKY 100V 15A U3

MNS1N6325US
DIODE GEN PURP 50V 300MA D-5D