SY10E256JZ

Подробности продукции

Как эффективный и опытный гибридный дистрибьютор электроники, наша компания, RX Electronics., Предлагает широкий спектр качественных электронных компонентов, полученных непосредственно от всемирно известных производителей. SY10E256JZ из технологии микрочипов представляет собой высокопроизводительную статическую статическую память о случайном доке (SRAM), предназначенная для требуемых приложений, предназначенных для релидативных и пристальных данных. Этот 8-битный SRAM 256K x предлагает время доступа до 10 наносекунд, обеспечивая эффективную работу в высокоскоростных системах. Он работает в широком диапазоне напряжения от 4,5 В до 5,5 В, что делает его универсальным для различных промышленных и коммерческих сред. Устройство имеет асинхронный интерфейс с активным режимом чипа, включенным выводом и включением записи, обеспечивая гибкие параметры управления. Созданный с использованием передовой технологии CMOS, SY10E256JZ обеспечивает низкое энергопотребление как во время активных, так и в режиме ожидания, повышая эффективность системы. Его надежный дизайн обеспечивает совместимость с широким спектром микропроцессоров и цифровых сигнальных процессоров. Этот SRAM, расположенный в компактном 28-контактном SOIC Package, идеально подходит для конструкций с ограниченным пространством, сохраняя при этом отличную производительность и надежность. Приложения включают в себя сетевое оборудование, медицинские устройства, автомобильные системы и решения для памяти общего назначения, где скорость, эффективность питания и долговечность имеют решающее значение. Крайне обращайтесь к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для получения дополнительной информации и деталей. Мы находимся в вашем сервисе в любое время!