M58WR064EB70ZB6

Подробности продукции

Если вам требуется поставка M58WR064EB70ZB6, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. M58WR064EB70ZB6-это высокопроизводительное, низкопроизводительное синхронное статичное статическое случайное устройство памяти (SRAM), изготовленное Micron Technology Inc., глобальным лидером в инновационной памяти и хранилище решения. Эта конкретная модель предлагает организацию 64K X 9, предоставляя дизайнерам надежное решение для приложений, которые требуют быстрого времени доступа и высокой пропускной способности. Он работает на широком спектре температур, что делает его подходящим для промышленных сред, где надежность имеет решающее значение.

Ключевые функции включают такточную частоту до 100 МГц, которая обеспечивает быструю пропускную способность данных, и диапазон напряжений питания 3,3 В ± 10%, что облегчает его использование в различных системах. Его расширенные возможности управления питанием позволяют обеспечить значительную экономию энергии в течение периодов простоя, что способствует более длительному сроку эксплуатации на устройствах с батареими. M58WR064EB70ZB6 идеально подходит для использования в сетевом оборудовании, медицинских устройствах и аэрокосмических системах, где быстрое обработка и стабильность данных имеют первостепенное значение. Его компактный размер и высокая надежность делают его отличным выбором для электроники следующего поколения, которая требует как скорости, так и эффективности. Пожалуйста, любезно нажмите «Запрос отправить», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.